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CYH3100系列槽式湿法设备

适配12英寸晶圆,可处理光阻、硅基、氧化硅、氮化硅及各类金属膜;覆盖炉前清洗、光刻胶去除、薄膜刻蚀等多道湿法工艺。设备集成传输、工艺、药液供给单元,可批量传送50片晶圆,具备高精度药液配比、加热与浓度监测能力,满足12英寸半导体前道湿法处理需求。...
产品详情

产品概述

CHB3100系列槽式湿法设备,适配12英寸晶圆,可处理光阻、硅基、氧化硅、氮化硅及各类金属膜;覆盖炉前清洗、光刻胶去除、薄膜刻蚀等多道湿法工艺。设备集成传输、工艺、药液供给单元,可批量传送50片晶圆,具备高精度药液配比、加热与浓度监测能力,满足12英寸半导体前道湿法处理需求。

产品优势

     主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置,可同时传送50片,工艺模块用于清洗和蚀刻,药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。

晶圆尺寸

12"

适用材料

光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物

适用工艺

炉前清洗、刻蚀/抛光后清洗、光阻去除、金属氧化物去除、氮化物去除

No.适用工艺描述化学组合
1清洗前清洗用于炉管前清洗工艺DHF +SPM + SCI + SC2 + IPA dry
2RCA清洗用于RCA清洗工艺DHF +SPM + SCI + SC2 + IPA dry
3湿法去胶用于干法刻蚀工艺后光刻胶去除工艺DHF +SPM + SCI + IPA dry
4氧化物湿法刻蚀用于氧化物湿法刻蚀或去除工艺HF or BOE + SCI + IPA dry
5氮化硅层膜层去除用于氮化硅层膜层湿法去除工艺,并控制SIN/oxide选择比DHF + H3PO4 + SCI + IPA dry
6晶圆回收前段poly/oxide去除用于控片回收处理,剥离去除不同的金属或非金属膜层HF/HNO3 + HF + SCI + SC2 + IPA dry
7后段金属膜层去除SPM + HF + SCI + IPA dry


0512-67419460
lyh@edemenchina.com

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