产品概述
CHB3100系列槽式湿法设备,适配12英寸晶圆,可处理光阻、硅基、氧化硅、氮化硅及各类金属膜;覆盖炉前清洗、光刻胶去除、薄膜刻蚀等多道湿法工艺。设备集成传输、工艺、药液供给单元,可批量传送50片晶圆,具备高精度药液配比、加热与浓度监测能力,满足12英寸半导体前道湿法处理需求。
产品优势
主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置,可同时传送50片,工艺模块用于清洗和蚀刻,药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。
晶圆尺寸
12"
适用材料
光阻、单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属膜、金属氧化物
适用工艺
炉前清洗、刻蚀/抛光后清洗、光阻去除、金属氧化物去除、氮化物去除
| No. | 适用工艺 | 描述 | 化学组合 | |
| 1 | 清洗 | 前清洗 | 用于炉管前清洗工艺 | DHF +SPM + SCI + SC2 + IPA dry |
| 2 | RCA清洗 | 用于RCA清洗工艺 | DHF +SPM + SCI + SC2 + IPA dry | |
| 3 | 湿法去胶 | 用于干法刻蚀工艺后光刻胶去除工艺 | DHF +SPM + SCI + IPA dry | |
| 4 | 氧化物湿法刻蚀 | 用于氧化物湿法刻蚀或去除工艺 | HF or BOE + SCI + IPA dry | |
| 5 | 氮化硅层膜层去除 | 用于氮化硅层膜层湿法去除工艺,并控制SIN/oxide选择比 | DHF + H3PO4 + SCI + IPA dry | |
| 6 | 晶圆回收 | 前段poly/oxide去除 | 用于控片回收处理,剥离去除不同的金属或非金属膜层 | HF/HNO3 + HF + SCI + SC2 + IPA dry |
| 7 | 后段金属膜层去除 | SPM + HF + SCI + IPA dry | ||