产品概述

湿法衬底剥离设备，适配2~6英寸及100mm方形晶圆单面贴膜剥离，支持高低温双工艺模式，控温精度高，可连续稳定运行8小时，剥离后晶圆与薄膜洁净度好，满足化合物半导体衬底湿法剥离需求。

适用产品

6英寸Wafer+Film(单面粘贴)，干燥状态

4英寸Wafer+Film(单面粘贴)，干燥状态

100mm*100mm Wafer+Film，干燥状态

2"磷化铟InP(单面粘贴)

适用材料

剥离的Film：清洗状态

剥离的Wafer：清洗状态

适用工艺

低温模式：5-15度，±0.5%，连续工作8小时

高温模式：45-85度，±0.3%，连续工作8小时